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制造商型号: IRFD120PB
制造商: Vishay
描述: MOSFET,N沟道,100V,1.3A,HVMDIP4
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间18 ns
典型接通延迟时间6.8 ns
典型栅极电荷@Vgs16 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds360 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度6.29mm
封装类型HexDIP,HVMDIP
尺寸5 x 6.29 x 3.37mm
引脚数目4
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.3 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值0.27 Ω
最大连续漏极电流1.3 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极、单
长度5mm
高度3.37mm
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