型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
IRFD024PBF 库存编号:87803361 Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 购买 | 1836 17起订 1-2周 | 17+ 100+ 250+ 500+ 1000+ 2500+ 5000+ | ¥14.65 ¥12.81 ¥12.6 ¥10.92 ¥9.62 ¥9.52 ¥9.43 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
IRFD024PBF 库存编号:IRFD024PBF Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 购买 | 2300 100起订 1-3周 | 100+ | ¥13.74 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
IRFD024PBF 库存编号:IRFD024PBF Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 购买 | 2519 1起订 1-3周 | 1+ 10+ 100+ 200+ 500+ 1000+ | ¥24.16 ¥16.3 ¥12.44 ¥11.87 ¥10.15 ¥9.44 |
型号/制造商 | 实时库存/货期(工作日) | 起订量 | 实时单价 (含税) |
IRFD024PBF Vishay Intertechnologies ![]() ![]() 购买 | 368 1起订 1-3周 | 1+ 129+ 276+ | ¥57.06 ¥19.97 ¥18.55 |
型号/制造商 |
IRFD024PBF Vishay Intertechnologies MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
IRFD024PBF Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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IRFD024PBF Vishay Intertechnologies MOSFET, N, DIL
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型号/制造商 |
IRFD024PBF Vishay Intertechnologies Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
IRFD024PBF Vishay Intertechnologies MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
IRFD024PBF Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 1.8A, 1.3W, DIP4
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IRFD024PB Vishay ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP 详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP 型号:IRFD024PBF 仓库库存编号:IRFD024PBF-ND 别名:*IRFD024PBF <br> | 无铅 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | |
![]() | Vishay MOSFET N, 60 V 2.4 A 2 W HEXDIP, IRFD024PBF, Vishay 型号:IRFD024PBF 仓库库存编号:171-15-242 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
IRFD024PBF![]() | 9102345 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 4 V ![]() |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号: IRFD024PBF 品牌: Vishay 库存编号: 541-0525 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | IRFD024PB Vishay | MOSFET,N沟道,60V,2.5A,HVMDIP4![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | IRFD024PBF VISHAY | 单 N 沟道 60 V 0.1 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4![]() ![]() 查看详细 |
![]() | IRFD 024PBF Vishay BC Components | 原厂原装货 暂无PDF 查看详细 |
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![]() | IRFD024PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP![]() ![]() 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | IRFD024PB Vishay | MOSFET,N沟道,60V,2.5A,HVMDIP4![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | IRFD024PBF VISHAY | 单 N 沟道 60 V 0.1 Ohms 通孔 功率 Mosfet - DIP-4![]() ![]() 查看详细 |
![]() | IRFD024PBF Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | IRFD024PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP![]() ![]() 查看详细 |
![]() | IRFD024PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N DIL![]() ![]() 查看详细 |
典型关断延迟时间 | 25 ns | |
典型接通延迟时间 | 13 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 25 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 640 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 6.29mm | |
封装类型 | HexDIP,HVMDIP | |
尺寸 | 5 x 6.29 x 3.37mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1.3 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 60 V | |
最大漏源电阻值 | 0.1 Ω | |
最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双漏极、单 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 3.37mm |