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IRFBC30SPBF|VISHAY SILICONIX
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制造商型号: IRFBC30SPBF
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
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产品信息
数据列表 IRFBC30S
产品相片 TO-263
产品目录绘图 IR(F,L,Z) Series Side 1
IR(F,L,Z) Series Side 2
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.6A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.2 欧姆 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)660pF @ 25V
功率 - 最大值3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
其它名称*IRFBC30SPBF
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