IRFBC20PB,IRFBC20PB|Vishay代理分销-IRFBC20PB全新原装货

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型号/制造商	实时库存/货期(工作日)	起订量	实时单价 (含税)
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美国3号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号/制造商	实时库存/货期(工作日)	起订量	实时单价 (含税)
IRFBC20PBF-BE3 库存编号:IRFBC20PBF-BE3 Vishay Intertechnologies 询价	0 1000起订 1-2周	1000+ 2000+ 4000+ 6000+ 8000+	￥13.34 ￥13.13 ￥12.92 ￥12.71 ￥12.56 询价

新加坡3号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号/制造商	实时库存/货期(工作日)	起订量	实时单价 (含税)
IRFBC20PBF 库存编号:3772674 Vishay Intertechnologies 购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTQmUE49Mzc3MjY3NA=="],"cvcModel":["IRFBC20PBF"],"cvcBrand":[" Vishay Intertechnologies "],"cvcNumberAll":["1,10,100,500,1000,5000,"],"cvcPriceAll":["19.55,13.32,13.08,12.96,12.83,12.71,"],"maxnum":["751"],"minnum":["1"],"mytime":["1-2周"], 查看资料	751 1起订 1-2周	1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 5000+	￥19.55 ￥13.32 ￥13.08 ￥12.96 ￥12.83 ￥12.71 购买

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IRFBC20PBF 库存编号:IRFBC20PBF Vishay Intertechnologies 询价	0 1000起订 1-3周	1000+ 2000+ 3000+ 5000+	￥7.06 ￥6.93 ￥6.79 ￥6.65 询价
IRFBC20PBF-BE3 库存编号:IRFBC20PBF-BE3 Vishay Intertechnologies 询价	0 1000起订 1-3周	1000+ 2000+ 3000+ 5000+ 10000+	￥7.22 ￥7.06 ￥6.93 ￥6.79 ￥6.67 询价

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IRFBC20PBF 库存编号:IRFBC20PBF Vishay Intertechnologies 购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTIzJlBOPUlSRkJDMjBQQkY="],"cvcModel":["IRFBC20PBF"],"cvcBrand":[" Vishay Intertechnologies "],"cvcNumberAll":["1,50,100,250,500,1000,2000,5000,"],"cvcPriceAll":["15.76,12.38,11.08,10.22,8.8,8.05,7.44,6.77,"],"maxnum":["790"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],	790 1起订 1-3周	1+ 50+ 100+ 250+ 500+ 1000+ 2000+ 5000+	￥15.76 ￥12.38 ￥11.08 ￥10.22 ￥8.8 ￥8.05 ￥7.44 ￥6.77 购买

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参考价格及参考库存

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IRFBC20PBF
Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号/制造商

IRFBC20PBF
Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp

RoHS: Compliant

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型号/制造商

IRFBC20PBF
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant

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IRFBC20PBF
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFBC20PBF)

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Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFBC20PBF)

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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRFBC20PBF)

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Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRFBC20PBF)

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IRFBC20PBF
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant

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IRFBC20PBF
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

RoHS: Compliant

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IRFBC20PBF
Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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型号/制造商

IRFBC20PBF
Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 600V, 2.2A TO-220

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型号/制造商

IRFBC20PBF
Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFBC20PBF
Vishay Dale

IRFBC20PBF

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型号/制造商

IRFBC20PBF
Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IRFBC20PB Vishay	查看库存、价格及货期

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考
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	IRFBC20PBF VISHAY	单 N 沟道 600 V 4.4 Ohms 法兰安装功率 Mosfet - TO-220 查看详细

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB 型号：IRFBC20PBF 仓库库存编号：IRFBC20PBF-ND 别名：*IRFBC20PBF <br>	无铅

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书
IRFBC20PBF	1163417	VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道, 50W, TO-220AB (EN)

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参考图片	制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号	PDF
	Vishay Dale IRFBC20PBF 型号：IRFBC20PBF 仓库库存编号：R1081778

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产品描述 / 参考图片

制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC20PBF, 2.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRFBC20PBF
品牌：
Vishay
库存编号：
542-9490

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考
	IRFBC20PBF Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB 查看详细

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	IRFBC20PB Vishay	MOSFET，N沟道，600V，2.2A，TO220AB 暂无PDF 查看详细
	IRFBC20PBF VISHAY	单 N 沟道 600 V 4.4 Ohms 法兰安装功率 Mosfet - TO-220 查看详细
	IRFBC20PBF Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-220AB 暂无PDF 查看详细

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制造商型号： IRFBC20PB
制造商： Vishay
描述： MOSFET，N沟道，600V，2.2A，TO220AB
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

	典型关断延迟时间	30 ns
	典型接通延迟时间	10 ns
	典型栅极电荷@Vgs	18 nC V @ 10
	典型输入电容值@Vds	350 pF V @ 25
	安装类型	通孔
	宽度	4.7mm
	封装类型	TO-220AB
	尺寸	10.41 x 4.7 x 9.01mm
	引脚数目	3
	最低工作温度	-55 °C
	最大功率耗散	50 W
	最大栅源电压	±20 V
	最大漏源电压	600 V
	最大漏源电阻值	4.4 Ω
	最大连续漏极电流	2.2 A
	最高工作温度	+150 °C
	每片芯片元件数目	1
	类别	功率 MOSFET
	通道模式	增强
	通道类型	N
	配置	单
	长度	10.41mm
	高度	9.01mm

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