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制造商型号: IRFB4212PB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,100V,18A,音频,HEXFET,TO220A
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间14 ns
典型接通延迟时间7.7 ns
典型栅极电荷@Vgs15 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds550 pF V @ 50
安装类型通孔
宽度4.82mm
封装类型TO-220AB
尺寸10.66 x 4.82 x 9.02mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散60000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压100 V
最大漏源电阻值0.073 Ω
最大连续漏极电流18 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10.66mm
高度9.02mm
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