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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRF9130
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 TO-3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 TO-3
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET P沟道 TO-3
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id 连续: 11A
- 漏源电压, Vds: 100V
- 在电阻RDS（上）: 300mohm
- 电压 @ Rds测量: -10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: -4V
- 功耗, Pd: 75W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: TO-3
- 针脚数: 2
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功耗, Pd: 75W
- 功耗, Pd: 75W
- 单脉冲雪崩能量 Eas: 81mJ
- 安装孔中心距: 30mm
- 封装/箱盒: TO-3
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 引脚节距: 11mm
- 晶体管数: 1
- 最大重复雪崩能量 Ear: 7.5mJ
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id 最大值: -11A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
- 电压, Vds 典型值: -100V
- 电压, Vgs 最高: -4V
- 电流, Idm 脉冲: 50A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 表面安装器件: 通孔
- 重复雪崩电流, Iar: 11A
- 重量: 0.012kg
- 阈值电压, Vgs th 最高: -4V
询价