声明:图片仅供参考,请以实物为准!
产品信息
-
场效应管 MOSFET NN
-
晶体管极性:
N沟道
-
电流, Id 连续:
11A
-
漏源电压, Vds:
30V
-
在电阻RDS(上):
11.8mohm
-
电压 @ Rds测量:
10V
-
阈值电压, Vgs th 典型值:
1.8V
-
功耗, Pd:
2W
-
工作温度最小值:
-55°C
-
工作温度最高值:
150°C
-
封装类型:
SOIC
-
针脚数:
8
-
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
-
封装/箱盒:
SOIC
-
模块配置:
双
-
漏极电流, Id 最大值:
11A
-
漏极连续电流, Id N沟道 2:
9.1A
-
漏极连续电流, Id N沟道3:
11A
-
电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
-
电压, Vds 典型值:
30V
-
电压, Vgs 最高:
1.8V
-
表面安装器件:
SMD
-
通态电阻, N沟道2:
9.8ohm
-
通态电阻, 沟道1:
13.7ohm
产地:
TH
Thailand
询价