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产品信息
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场效应管 MOSFET N SO-8
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
13A
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漏源电压, Vds:
30V
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在电阻RDS(上):
11mohm
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电压 @ Rds测量:
4.5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
3V
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功耗, Pd:
2.5W
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封装类型:
SOIC
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针脚数:
8
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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功耗, Pd:
2.5W
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功耗, Pd:
2.5W
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封装/箱盒:
SOIC
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漏极电流, Id 最大值:
13A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
4.5V
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电压, Vds:
30V
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电压, Vds 典型值:
30V
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电压, Vgs 最高:
3V
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电流, Idm 脉冲:
100A
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电荷, Qrr @ Tj = 25°C 典型值:
22nC
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表面安装器件:
SMD
产地:
MY
Malaysia
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