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制造商型号: IRF7759L2TR1PB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,75V,160A,Direct-FET,L8
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间80 ns
典型接通延迟时间18 ns
典型栅极电荷@Vgs200 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds12222 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度7.1mm
封装类型DirectFET L8
尺寸9.15 x 7.1 x 0.7mm
引脚数目11
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散125 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压75 V
最大漏源电阻值2.3 mΩ
最大连续漏极电流375 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极、八源、单
长度9.15mm
高度0.7mm
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