  |
  |
您现在的位置：首页 > IRF7509PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IRF7509PBF
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 MICRO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 MICRO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 双 NP 逻辑电平 MICRO-8
- 晶体管极性: N和P沟道
- 电流, Id 连续: 2.7A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 110mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
- 功耗, Pd: 1.25W
- 封装类型: μSOIC
- 针脚数: 8
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- SMD标号: 7509
- 外宽: 3.05mm
- 外部深度: 5.03mm
- 外部长度/高度: 1.11mm
- 封装/箱盒: Micro8
- 排距: 4.24mm
- 晶体管数: 2
- 温度 @ 电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极连续电流, Id N沟道 2: 2.7A
- 漏极连续电流, Id P沟道: 2A
- 电压, Vds: 30V
- 电流, Idm 脉冲: 21A
- 结温, Tj 最大值: 150°C
- 结温, Tj 最小值: -55°C
- 脉冲电流, Idm N沟道(1): 21A
- 脉冲电流, Idm P沟道: 16A
- 通态电阻, N沟道 最大: 110mohm
- 通态电阻, P沟道 最大: 200mohm
- 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
询价