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IRF7379QTRPBF|International Rectifier
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制造商型号: IRF7379QTRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
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产品信息
数据列表 IRF7379QPbF
产品相片 8-SOIC
标准包装  1
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列HEXFET®
包装  剪切带 (CT)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.8A,4.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)45 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)520pF @ 25V
功率 - 最大值2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
产品目录页面1525 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IRF7379QTRPBFCT
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