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制造商型号: IRF7307QPB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,双,N/P沟道,20V,5.2A/4.3A,SOIC8
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产品信息
典型关断延迟时间32(N 通道)ns,51(P 通道)ns
典型接通延迟时间8.4(P 通道)ns,9(N 通道)ns
典型栅极电荷@Vgs20 nC @ 4.5 V(N 沟道),22 nC @ 4.5 V(P 沟道)
典型输入电容值@Vds610 pF V @ 15 V(P 通道),660 pF V @ 15 V(N 通道)
安装类型表面贴装
宽度4mm
封装类型SOIC
尺寸5 x 4 x 1.5mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2000 mW
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.05(N 通道)Ω,0.09(P 通道)Ω
最大连续漏极电流4.3(P 通道)A,5.2(N 通道)A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N,P
配置双、双漏极
长度5mm
高度1.5mm
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