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制造商型号： IRF7105QPBF
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 双MOSFET NP SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 双MOSFET NP SO-8
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 双MOSFET NP SO-8
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 3.5A
- 漏源电压, Vds: 25V
- 在电阻RDS（上）: 83mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 2W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOIC
- 针脚数: 8
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功耗, Pd: 2W
- 功耗, Pd: 2W
- 封装/箱盒: SOIC
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 模块配置: 双
- 漏极电流, Id 最大值: 3.5A
- 漏极连续电流, Id N沟道 2: 3.5A
- 漏极连续电流, Id P沟道: 2.3A
- 漏源电压 Vds, N沟道: 25V
- 漏源电压 Vds, P沟道: -25V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds: 25V
- 电压, Vds 典型值: 25V
- 电压, Vgs 最高: 3V
- 脉冲电流, Idm N沟道(1): 21A
- 脉冲电流, Idm P沟道: 17A
- 表面安装器件: SMD
- 连续漏极电流 Id, N沟道: 3.5A
- 连续漏极电流 Id, P沟道: -2.3A
- 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.14ohm
- 通态电阻 Rds(on), P沟道: 0.3ohm
- 通态电阻, N沟道 最大: 100mohm
- 通态电阻, P沟道 最大: 250mohm
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