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制造商型号: IRF6716MTR1PB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,25V,39A,HEXFET,Direct-FET,MX
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间25 ns
典型接通延迟时间26 ns
典型栅极电荷@Vgs39 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds5150 pF V @ 13
安装类型表面贴装
宽度5.05mm
封装类型DirectFET MX
尺寸5.45 x 5.05 x 0.6mm
引脚数目7
最低工作温度-40 °C
最大功率耗散3600 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压25 V
最大漏源电阻值0.002 Ω
最大连续漏极电流39 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极、双源、单
长度5.45mm
高度0.6mm
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