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IRF6709S2TR1PBF|International Rectifier
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制造商型号: IRF6709S2TR1PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
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产品信息
数据列表 IRF6709S2TR(1)PbF
产品相片 IRF6706S2TR1PBF
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
产品目录绘图 IR Hexfet Circuit
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12A (Ta), 39A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)7.8 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1010pF @ 13V
功率 - 最大值1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 S1
供应商器件封装DIRECTFET S1
其它名称IRF6709S2TR1PBFTR
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