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制造商型号: IRF6708S2TR1PB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,N沟道,30V,13A,HEXFET,Direct-FET,S1
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间10 ns
典型接通延迟时间9.1 ns
典型栅极电荷@Vgs6.6 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds1010 pF V @ 15
安装类型表面贴装
宽度3.95mm
封装类型DirectFET S1
尺寸3.95 x 3.95 x 0.49mm
引脚数目4
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散20 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值14.3 mΩ
最大连续漏极电流36 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极
长度3.95mm
高度0.49mm
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