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制造商型号: IRF6702M2DTR1PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
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产品信息
数据列表 IRF6702M2DTR(1)PBF
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)6.6 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1380pF @ 15V
功率 - 最大值2.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MA
供应商器件封装DIRECTFET? MA
其它名称IRF6702M2DTR1P
IRF6702M2DTR1P-ND
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