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IRF6662TRPBF|International Rectifier
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制造商型号: IRF6662TRPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
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产品信息
数据列表 IRF6662(TR)PbF
产品相片 IRF6614TR1PBF
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
产品目录绘图 IR Hexfet Circuit
标准包装  4,800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.3A (Ta), 47A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)22 毫欧 @ 8.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1360pF @ 25V
功率 - 最大值2.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MZ
供应商器件封装DIRECTFET? MZ
其它名称IRF6662TRPBFTR
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