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IRF6619|International Rectifier
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制造商型号: IRF6619
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
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产品信息
数据列表 IRF6619
产品相片 IRF6794MTR1PBF
其它有关文件 DirectFET MOSFET 4Ps Checklist
产品目录绘图 IR Hexfet Circuit
设计资源 IRF6619 Saber Model
IRF6619 Spice Model
标准包装  4,800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A (Ta), 150A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.2 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)57nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5040pF @ 10V
功率 - 最大值2.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MX
供应商器件封装DIRECTFET? MX
产品目录页面1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IRF6619TR
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