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产品信息
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场效应管 MOSFET P
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晶体管极性:
P沟道
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电流, Id 连续:
2.2A
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漏源电压, Vds:
-150V
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在电阻RDS(上):
240mohm
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电压 @ Rds测量:
-10V
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功耗, Pd:
2.5W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SOIC
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针脚数:
8
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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封装/箱盒:
SOIC-8
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漏极电流, Id 最大值:
-2.2A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds 典型值:
150V
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电压, Vgs 最高:
-5V
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表面安装器件:
SMD
产地:
MY
Malaysia
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