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IRF620|STMicroelectronics
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制造商型号: IRF620
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
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产品信息
数据列表 IRF620(FP)
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PowerMESH™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)5.2A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)800 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)350pF @ 25V
功率 - 最大值70W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
其它名称497-3135
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