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IRF520NSTRLPBF 库存编号:IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies AG ![]() ![]() 询价 | 0 800起订 1-3周 | 800+ | ¥4.04 |
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IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
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IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies AG MOSFET MOSFT 100V 9.5A 200mOhm 16.7nC RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF520NSTRLPBF) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies AG MOSFET, N-CH, 100V, 9.7A, TO-263AB
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IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies AG Single N-Channel 100 V 0.2 Ohm 25 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
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IRF520NSTRLPBF International Rectifier
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| 制造商零件编号: IRF520NSTRLPBF 品牌: Infineon 库存编号: 831-2821 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK 型号:IRF520NSTRLPBF 仓库库存编号:IRF520NSTRLPBFCT-ND 别名:IRF520NSTRLPBFCT <br> | 无铅 |
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数据列表 | IRF520N(S,L)PbF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRF520NS Saber Model IRF520NS Spice Model |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9.7A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 200 毫欧 @ 5.7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 330pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRF520NSTRLPBF-ND IRF520NSTRLPBFTR |