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制造商型号: IRC630PBF
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
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产品信息
数据列表 IRC630PBF
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能电流感测
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)9A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)400 毫欧 @ 5.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)800pF @ 25V
功率 - 最大值74W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-5
供应商器件封装TO-220-5
其它名称*IRC630PBF
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