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产品信息
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芯片 半桥驱动器 600V
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器件类型:
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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模块配置:
高压侧/低压侧
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输出电流 峰值:
1A
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电源电压最小值:
10V
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电源电压最大值:
20V
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封装类型:
DIP
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针脚数:
8
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输入延迟:
80ns
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输出延时:
75ns
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
125°C
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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偏移电压:
200V
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器件标号:
2011
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封装/箱盒:
DIP
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工作温度范围:
-40°C 至 +125°C
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时间, t off:
60ns
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时间, t on:
80ns
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电压 Vcc 最低:
10V
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电压, Vcc 最大:
20V
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电源电压范围:
10V 至 20V
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芯片标号:
2011
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表面安装器件:
通孔
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输出数:
2
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输出电压:
220V
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输出电压 最大:
20V
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输出电压 最小:
10V
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输出电流 汲入型 最小:
1000mA
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输出电流 流出型 最小:
1000mA
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输出电流, 最大:
1A
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输出端吸入电流:
1A
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逻辑功能号:
2011
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逻辑芯片功能:
高和低MOS驱动器
产地:
US
United States
询价