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IPW65R190CFD|Infineon Technologies
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制造商型号: IPW65R190CFD
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
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产品信息
数据列表 IPx65R190CFD
产品相片 TO-247-3
标准包装  240
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)17.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 730µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1850pF @ 100V
功率 - 最大值151W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装PG-TO247-3
其它名称IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376
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