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产品信息
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场效应管 MOSFET IPS D2-PAK
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器件类型:
(暂无信息)
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模块配置:
高压侧
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输出电流 峰值:
16A
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电源电压最小值:
4V
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电源电压最大值:
5.5V
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封装类型:
TO-263
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针脚数:
5
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输入延迟:
8μs
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输出延时:
20μs
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工作温度最小值:
-40°C
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工作温度最高值:
150°C
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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功耗, Pd:
3.1W
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器件标号:
6041
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在电阻RDS(上):
0.06ohm
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封装/箱盒:
D2-PAK
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封装类型:
TO-263
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工作温度范围:
-40°C 至 +150°C
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晶体管极性:
N沟道
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晶体管类型:
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
5V
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电压, Vcc:
28V
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电压, Vcc 最大:
36V
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电压, Vds 典型值:
28V
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电流, Id 连续:
8.9A
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电流上限:
16A
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电源电压范围:
4V 至 5.5V
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表面安装器件:
SMD
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负载电流:
0.55A
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输入/输出延迟:
20μs
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输入电压最大值:
5.5V
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输入电压最小值:
-0.3V
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输出阻值:
0.046ohm
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钳位电压:
39V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
2.5V
产地:
MX
Mexico
询价