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制造商型号: IPS135N03
制造商: Infineon
描述: MOSFET,N沟道,30V,30A,OptiMOS3,TO251
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间12 ns
典型接通延迟时间3 ns
典型栅极电荷@Vgs4.8 nC V @ 0 至 4.5
典型输入电容值@Vds770 pF V @ 15
安装类型通孔
宽度6.22mm
封装类型PG-TO-251-3-11
尺寸6.73 x 6.22 x 2.41mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散31 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压30 V
最大漏源电阻值20.5 mΩ @ 4.5 V
最大连续漏极电流30 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别直流/直流转换器、SMPS
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.73mm
高度2.41mm
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