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IPS06N03LZ G|Infineon Technologies
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制造商型号: IPS06N03LZ G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
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产品信息
产品相片 DPAK_369D?01
产品变化通告 Product Discontinuation 04/Jun/2009
标准包装  1,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)50A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 40µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)22nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2653pF @ 15V
功率 - 最大值83W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装PG-TO251-3
其它名称IPS06N03LZGX
SP000016328
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