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IPP50CN10N G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
IPP50CN10N G
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 20A 100V PG-TO220-3
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 20A 100V PG-TO220-3
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 20A
漏源电压, Vds: 100V
在电阻RDS(上): 38mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 44W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-220
针脚数: 3
MSL: (不适用)
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
晶体管类型: 功率MOSFET
漏极电流, Id 最大值: 20A
电压, Vgs 最高: 20V
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型号: IPP50CN10N G 品牌: INFINEON 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 20A 100V PG-TO220-3
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