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IPP111N15N3 G|Infineon Technologies
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制造商型号: IPP111N15N3 G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
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产品信息
数据列表 IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G
产品相片 TO-220-3
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)83A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)11.1 毫欧 @ 83A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 160µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3230pF @ 75V
功率 - 最大值214W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3
其它名称IPP111N15N3G
SP000677860
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