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| 型号/制造商 |
| IPI60R250CP Infineon Technologies AG
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 | IPI60R250CP INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 TO-262  查看详细 |
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制造商型号： IPI60R250CP
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 TO-262
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 TO-262
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 TO-262
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 12A
- 漏源电压, Vds: 650V
- 在电阻RDS（上）: 250mohm
- 电压 @ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
- 功耗, Pd: 104W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: TO-262
- 针脚数: 3
- 封装/箱盒: TO-262
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 晶体管类型: 功率MOSFET
- 漏极电流, Id 最大值: 12A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
- 电压, Vds 典型值: 650V
- 电压, Vgs 最高: 20V
- 表面安装器件: 通孔
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