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产品信息
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场效应管 MOSFET N沟道 TO-262
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
31A
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漏源电压, Vds:
600V
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在电阻RDS(上):
99mohm
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电压 @ Rds测量:
10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
3V
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功耗, Pd:
255W
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工作温度最小值:
-40°C
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???作温度最高值:
150°C
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封装类型:
TO-262
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针脚数:
3
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封装/箱盒:
TO-262
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工作温度范围:
-40°C 至 +150°C
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晶体管类型:
功率MOSFET
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
10V
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电压, Vds 典型值:
600V
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表面安装器件:
通孔
产地:
MY
Malaysia
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