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IPI12CNE8N G|Infineon Technologies
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制造商型号: IPI12CNE8N G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
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产品信息
数据列表 IPx12CNE8N G
产品相片 TO-262-3
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)85V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)67A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)12.6 毫欧 @ 67A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 83µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4340pF @ 40V
功率 - 最大值125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3
其它名称SP000208929
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