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IPI100N06S3-03|Infineon Technologies
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制造商型号: IPI100N06S3-03
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
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产品信息
数据列表 IPB(I,P)100N06S3-03
产品相片 TO-262-3
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Jul/2010
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)3.3 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 230µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)480nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)21620pF @ 25V
功率 - 最大值300W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3
其它名称IPI100N06S303X
IPI100N06S303XK
SP000087992
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