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IPI06CNE8N G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
IPI06CNE8N G
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 85V 100A
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
85 V
闸/源击穿电压:
+/- 20 V
漏极连续电流:
100 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
6.5 mOhms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 175 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-262
封装:
Tube
下降时间:
7 ns
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
214 W
上升时间:
27 ns
典型关闭延迟时间:
26 ns
零件号别名:
IPI06CNE8NGXK
询价
*所需产品:
型号: IPI06CNE8N G 品牌: Infineon Technologies 备注: MOSFET N-CH 85V 100A
*联系人:
*联系电话:
*电子邮箱:
备注内容:
电脑版
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