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IPD90R1K2C3|INFINEON
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制造商型号: IPD90R1K2C3
制造商: INFINEON
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 TO-252
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 TO-252
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 5.1A
  • 漏源电压, Vds: 900V
  • 在电阻RDS(上): 1.2ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 83W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • 功耗, Pd: 83W
  • 封装/箱盒: TO-252
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 5.1A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 900V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 10A
  • 表面安装器件: SMD
产地: MY Malaysia
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