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IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
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IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-Ch 650V 1.7A DPAK-2
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IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET, N-CH, 600V, 1.7A, TO-252-3
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 18.1W(Tc) PG-TO252-3 型号:IPD60R3K3C6ATMA1 仓库库存编号:IPD60R3K3C6ATMA1CT-ND 别名:IPD60R3K3C6ATMA1CT <br> | 无铅 |
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| 制造商零件编号: IPD60R3K3C6ATMA1 品牌: Infineon 库存编号: 857-4619 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
IPD60R3K3C6ATMA1![]() | 2726052 | INFINEON 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 600 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V ![]() |
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![]() | IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 1.7A DPAK-2 暂无PDF 查看详细 |