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IPD530N15N3 G|Infineon Technologies
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制造商型号: IPD530N15N3 G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
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产品信息
数据列表 IPx530N15N3 G
产品相片 TO-252-3
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)53 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 35µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)887pF @ 75V
功率 - 最大值68W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3
其它名称IPD530N15N3 G-ND
IPD530N15N3G
SP000521720
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