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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IPD50R650CE
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | IPD50R650CE |
|---|---|
| 产品相片 | TO-252-3 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 6.1A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 650 毫欧 @ 1.8A, 13V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 342pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 47W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD50R650CETR SP000992078 |
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