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IPD50P04P4L-11|Infineon Technologies
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制造商型号: IPD50P04P4L-11
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
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产品信息
数据列表 IPD50P04P4L-11
产品相片 TO-252-3
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)50A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)10.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)59nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3900pF @ 25V
功率 - 最大值58W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3-313
其它名称IPD50P04P4L-11TR
IPD50P04P4L11
IPD50P04P4L11ATMA1
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