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IPD50P04P4-13|Infineon Technologies
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制造商型号: IPD50P04P4-13
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:P-Channel
汲极/源极击穿电压:- 40 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:- 50 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):-
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PG-TO252-3
封装:Reel
下降时间:28 ns
栅极电荷 Qg:39 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:58 W
上升时间:10 ns
系列:xPD50P04
典型关闭延迟时间:22 ns
零件号别名:IPD50P04P413ATMA1
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