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IPD30N06S2L-13|Infineon Technologies
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制造商型号: IPD30N06S2L-13
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
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产品信息
数据列表 IPD30N06S2L-13
产品相片 TO-252-3
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)13 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)69nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1800pF @ 25V
功率 - 最大值136W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装PG-TO252-3
其它名称IPD30N06S2L-13-ND
IPD30N06S2L13
SP000252167
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