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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： IPD200N15N
制造商： Infineon
描述： MOSFET，N沟道，150V，50A，OptiMOS3，TO252
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Infineon
描述： MOSFET，N沟道，150V，50A，OptiMOS3，TO252
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1820 pF V @ 75 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | PG-TO-252-3 | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 20 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.41mm |
询价