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IPB35N10S3L-26|Infineon Technologies
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制造商型号： IPB35N10S3L-26
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET MOSFET
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产品信息
制造商:Infineon
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:100 V
闸/源击穿电压:20 V
漏极连续电流:35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:26.3 mOhms
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263
封装:Reel
下降时间:3 ns
栅极电荷 Qg:30 nC
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:71 W
上升时间:4 ns
系列:xPB35N10
典型关闭延迟时间:18 ns
零件号别名:IPB35N10S3L26ATMA1
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