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制造商型号： IPB180N04S302
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Infineon
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:40 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:180 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:1.6 mOhms
配置:Single Quint Source
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-263
下降时间:18 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:300 W
上升时间:19 ns
典型关闭延迟时间:57 ns
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