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| IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET RoHS: Compliant 搜索 |
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| 型号/制造商 |
| IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies AG
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| 型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
| IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 暂无PDF 查看详细 |
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| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3 型号：IPB180N03S4LH0ATMA1 仓库库存编号：IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND 别名：IPB180N03S4L-H0 <br>IPB180N03S4L-H0-ND <br>SP000555050 <br> |  |
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制造商型号： IPB180N03S4LH0ATMA1
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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