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IPB100N06S3L-03|Infineon Technologies
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制造商型号: IPB100N06S3L-03
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
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产品信息
数据列表 IPB(I,P)100N06S3L-03
产品相片 TO-263
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Jul/2010
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.7毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 230µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)550nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)26240pF @ 25V
功率 - 最大值300W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-3
产品目录页面1618 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IPB100N06S3L-03INTR
IPB100N06S3L-03XTINTR
IPB100N06S3L-03XTINTR-ND
IPB100N06S3L03XT
SP000087978
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