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IPB055N03L G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
IPB055N03L G
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 50A 30V PG-TO263-3
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 50A 30V PG-TO263-3
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 50A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS(上): 4.6mohm
电压 @ Rds测量: 10V
功耗, Pd: 68W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
晶体管类型: 功率MOSFET
漏极电流, Id 最大值: 50A
电压, Vgs 最高: 20V
询价
*所需产品:
型号: IPB055N03L G 品牌: INFINEON 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 50A 30V PG-TO263-3
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