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IPB036N12N3 G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
IPB036N12N3 G
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 120V 180A TO263-7
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 120V 180A TO263-7
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 180A
漏源电压, Vds: 120V
在电阻RDS(上): 0.0029ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 300W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 7
MSL: MSL 1 -无限制
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
询价
*所需产品:
型号: IPB036N12N3 G 品牌: INFINEON 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 120V 180A TO263-7
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