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IPB026N06N|Infineon Technologies
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制造商型号: IPB026N06N
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
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产品信息
数据列表 IPB026N06N
产品相片 TO-263
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)25A (Ta), 100A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.6 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 75µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4100pF @ 30V
功率 - 最大值3W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-3
其它名称IPB026N06NATMA1
IPB026N06NTR
SP000962142
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